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NE68819-T1

NE68819-T1

Nur als Referenz

Teilenummer NE68819-T1
PNEDA Teilenummer NE68819-T1
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD
Hersteller CEL
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Auf Lager 5.202
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NE68819-T1 Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68819-T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68819-T1, NE68819-T1 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 347,59 KB)
PDFNE68833-T1-A Datenblatt Cover
NE68833-T1-A Datenblatt Seite 2 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 3 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 4 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 5 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 6 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 7 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 8 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 9 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 10 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 11

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NE68819-T1 Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max125mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 3mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-523
Lieferantengerätepaket3-SuperMiniMold (19)

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

TPR1000A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB

Leistung - max

2900W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55KV

Lieferantengerätepaket

55KV

AT-32063-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

Gewinn

12.5dB ~ 14.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

6dB ~ 12dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

1517-20M

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.48GHz ~ 1.65GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.6dB ~ 9.3dB

Leistung - max

175W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55LV-1

Lieferantengerätepaket

55LV-1

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