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NE68133-T1B-A

NE68133-T1B-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE68133-T1B-A
PNEDA Teilenummer NE68133-T1B-A
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
Hersteller CEL
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Auf Lager 5.022
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE68133-T1B-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68133-T1B-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68133-T1B-A, NE68133-T1B-A Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 218,97 KB)
PDFNE68133-T1B-A Datenblatt Cover
NE68133-T1B-A Datenblatt Seite 2 NE68133-T1B-A Datenblatt Seite 3 NE68133-T1B-A Datenblatt Seite 4 NE68133-T1B-A Datenblatt Seite 5 NE68133-T1B-A Datenblatt Seite 6 NE68133-T1B-A Datenblatt Seite 7 NE68133-T1B-A Datenblatt Seite 8 NE68133-T1B-A Datenblatt Seite 9 NE68133-T1B-A Datenblatt Seite 10 NE68133-T1B-A Datenblatt Seite 11

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NE68133-T1B-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn13dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Gewinn

13.5dB ~ 15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4V

Frequenz - Übergang

45GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz

Gewinn

16.5dB ~ 29dB

Leistung - max

240mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 35mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

10W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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