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MS2575A

MS2575A

Nur als Referenz

Teilenummer MS2575A
PNEDA Teilenummer MS2575A
Beschreibung RF POWER TRANSISTOR
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.076
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MS2575A Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMS2575A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MS2575A Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

BF240_J35Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BFS 17P E6433

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB ~ 5dB @ 800MHz

Gewinn

-

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

JANTX2N2857UB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

UB

SD1433

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

58W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

M122

Lieferantengerätepaket

M122

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