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MS2552

MS2552

Nur als Referenz

Teilenummer MS2552
PNEDA Teilenummer MS2552
Beschreibung RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 2NLFL
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.310
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MS2552 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMS2552
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MS2552, MS2552 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 204,23 KB)
PDFMS2552 Datenblatt Cover
MS2552 Datenblatt Seite 2 MS2552 Datenblatt Seite 3 MS2552 Datenblatt Seite 4

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MS2552 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang1.025GHz ~ 1.15GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn6.7dB
Leistung - max880W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 1A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)24A
Betriebstemperatur250°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall2NLFL
Lieferantengerätepaket2NLFL

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

18dB ~ 22dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

130mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

15dB

Leistung - max

150W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

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211-11, Style 2

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Gewinn

13.5dB ~ 15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

Gewinn

13dB ~ 15.5dB

Leistung - max

1.25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

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