MS1007
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| Teilenummer | MS1007 |
| PNEDA Teilenummer | MS1007 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 55V 30MHZ M174 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.996 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MS1007 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS1007 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS1007 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 55V |
| Frequenz - Übergang | 30MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 14dB |
| Leistung - max | 233W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 18 @ 1.4A, 6V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M174 |
| Lieferantengerätepaket | M174 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB ~ 8dB Leistung - max 175W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55LT Lieferantengerätepaket 55LT |
