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MS1030DE

MS1030DE

Nur als Referenz

Teilenummer MS1030DE
PNEDA Teilenummer MS1030DE
Beschreibung RF POWER TRANSISTOR
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.946
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MS1030DE Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMS1030DE
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MS1030DE Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 2mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-343

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

6.5dB ~ 11dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

31V

Frequenz - Übergang

200MHz ~ 500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB ~ 9.5dB

Leistung - max

220W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Lieferantengerätepaket

55HV

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