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MRF904

MRF904

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Teilenummer MRF904
PNEDA Teilenummer MRF904
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.070
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF904 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF904
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MRF904 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB @ 450MHz
Gewinn6.5dB ~ 10.5dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-72

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

24GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

BFR 92W E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

11.5dB ~ 17dB

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

BFR183WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

18.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

KSC1674CYBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BF 770A E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

9.5dB ~ 14.5dB

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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