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MPS5179_D27Z

MPS5179_D27Z

Nur als Referenz

Teilenummer MPS5179_D27Z
PNEDA Teilenummer MPS5179_D27Z
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.742
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 17 - Jan 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MPS5179_D27Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMPS5179_D27Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MPS5179_D27Z, MPS5179_D27Z Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 992,85 KB)
PDFPN5179_D75Z Datenblatt Cover
PN5179_D75Z Datenblatt Seite 2 PN5179_D75Z Datenblatt Seite 3 PN5179_D75Z Datenblatt Seite 4 PN5179_D75Z Datenblatt Seite 5 PN5179_D75Z Datenblatt Seite 6 PN5179_D75Z Datenblatt Seite 7 PN5179_D75Z Datenblatt Seite 8 PN5179_D75Z Datenblatt Seite 9 PN5179_D75Z Datenblatt Seite 10 PN5179_D75Z Datenblatt Seite 11

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MPS5179_D27Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang2GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)5dB @ 200MHz
Gewinn15dB
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 3mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

19dB

Leistung - max

45mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

6dB ~ 12dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-323

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

2.2GHz ~ 2.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

10W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55LV

Lieferantengerätepaket

55LV

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

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