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MPS5179RLRAG

MPS5179RLRAG

Nur als Referenz

Teilenummer MPS5179RLRAG
PNEDA Teilenummer MPS5179RLRAG
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.978
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MPS5179RLRAG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMPS5179RLRAG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MPS5179RLRAG, MPS5179RLRAG Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 42,37 KB)
PDFMPS5179RLRPG Datenblatt Cover
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MPS5179RLRAG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang2GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max200W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 3mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5dB @ 500MHz

Gewinn

53dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

SD1013

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

13W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

MMBTH11

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

MS2473

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB

Leistung - max

2300W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M112

Lieferantengerätepaket

M112

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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