BFU550XRVL
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFU550XRVL |
| PNEDA Teilenummer | BFU550XRVL |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.658 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFU550XRVL Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU550XRVL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU550XRVL Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 11GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1.8GHz |
| Gewinn | 15.5dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-143R |
| Lieferantengerätepaket | SOT-143R |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn 18dB ~ 22dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket TO-92S |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang 21GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Gewinn 13dB ~ 22.5dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 19dB Leistung - max 175mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket PG-SOT323-3 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 100MHz Gewinn 24dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 65 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket Mini3-G1 |
