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ITC1100

ITC1100

Nur als Referenz

Teilenummer ITC1100
PNEDA Teilenummer ITC1100
Beschreibung RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.622
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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ITC1100 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerITC1100
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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ITC1100 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang1.03GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn10dB ~ 10.5dB
Leistung - max3400W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 5A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55SW
Lieferantengerätepaket55SW

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

19dB

Leistung - max

45mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

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Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

14-SOIC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

10.5dB ~ 16dB

Leistung - max

600mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

205mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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