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HFA3128R

HFA3128R

Nur als Referenz

Teilenummer HFA3128R
PNEDA Teilenummer HFA3128R
Beschreibung RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 5.562
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HFA3128R Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHFA3128R
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
HFA3128R, HFA3128R Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 832,52 KB)
PDFHFA3128RZ96 Datenblatt Cover
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HFA3128R Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Transistortyp5 PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.5dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-VFQFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket16-QFN (3x3)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

225MHz ~ 400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB ~ 8.5dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55JT

Lieferantengerätepaket

55JT

JANTXV2N4957UB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Gewinn

25dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

1214-300M

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

1.2GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

88W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55ST

Lieferantengerätepaket

55ST

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

*

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

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