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HFA3096B96

HFA3096B96

Nur als Referenz

Teilenummer HFA3096B96
PNEDA Teilenummer HFA3096B96
Beschreibung RF TRANS NPN/PNP 5.5GHZ 16SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 8.568
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HFA3096B96 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHFA3096B96
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
HFA3096B96, HFA3096B96 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 832,52 KB)
PDFHFA3128RZ96 Datenblatt Cover
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HFA3096B96 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Transistortyp3 NPN + 2 PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V, 15V
Frequenz - Übergang8GHz, 5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.5dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Gewinn

-

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

2SC5015-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

-

SD8002-01H

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

NSVF4015SG4T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

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MRF392

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual) Common Emitter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

125W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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