CMUT5179 TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | CMUT5179 TR |
| PNEDA Teilenummer | CMUT5179-TR |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 1.45GHZ SOT523 |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 28.188 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CMUT5179 TR Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CMUT5179 TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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CMUT5179 TR Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 1.45GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 200MHz |
| Gewinn | 15dB |
| Leistung - max | 250mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 25 @ 3mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-89, SOT-490 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-523 |
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Hersteller MICROSS/On Semiconductor Serie * Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn 10dB ~ 29dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 23dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 70mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
