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CP302-MPSH10-CT20

CP302-MPSH10-CT20

Nur als Referenz

Teilenummer CP302-MPSH10-CT20
PNEDA Teilenummer CP302-MPSH10-CT20
Beschreibung RF TRANS NPNUHF/VHF
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 3.312
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CP302-MPSH10-CT20 Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCP302-MPSH10-CT20
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
CP302-MPSH10-CT20, CP302-MPSH10-CT20 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 620,51 KB)
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CP302-MPSH10-CT20 Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)25V
Frequenz - Übergang650MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

205mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

BFR740L3RHE6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

42GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz

Gewinn

24.5dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

PG-TSLP-3

MRF422

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB

Leistung - max

150W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

211-11, Style 2

Lieferantengerätepaket

211-11, Style 2

HFA3134IHZ96

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.4dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

48 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-23-6

NE52418-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.5dB @ 2GHz

Gewinn

14dB ~ 16dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 3mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

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