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BFU520YX

BFU520YX

Nur als Referenz

Teilenummer BFU520YX
PNEDA Teilenummer BFU520YX
Beschreibung RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Hersteller NXP
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Auf Lager 56.040
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU520YX Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU520YX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU520YX, BFU520YX Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 299,15 KB)
PDFBFU520YF Datenblatt Cover
BFU520YF Datenblatt Seite 2 BFU520YF Datenblatt Seite 3 BFU520YF Datenblatt Seite 4 BFU520YF Datenblatt Seite 5 BFU520YF Datenblatt Seite 6 BFU520YF Datenblatt Seite 7 BFU520YF Datenblatt Seite 8 BFU520YF Datenblatt Seite 9 BFU520YF Datenblatt Seite 10 BFU520YF Datenblatt Seite 11

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BFU520YX Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Transistortyp2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.65dB @ 900MHz
Gewinn19dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

9dB ~ 13.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

MS1227

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

30MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

15dB

Leistung - max

80W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M113

Lieferantengerätepaket

M113

KSC2756RMTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

850MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6.5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB ~ 23dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

2SC5752-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

-

0204-125

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

225MHz ~ 400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB ~ 8.5dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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55JT

Lieferantengerätepaket

55JT

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