BFU520YX
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| Teilenummer | BFU520YX |
| PNEDA Teilenummer | BFU520YX |
| Beschreibung | RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 56.040 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFU520YX Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU520YX |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU520YX Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 10GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.65dB @ 900MHz |
| Gewinn | 19dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz Gewinn - Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-SO |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 850MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6.5dB @ 200MHz Gewinn 15dB ~ 23dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 15dB Leistung - max 80W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M113 Lieferantengerätepaket M113 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 10.5dB ~ 16dB Leistung - max 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
