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BFU520XRVL

BFU520XRVL

Nur als Referenz

Teilenummer BFU520XRVL
PNEDA Teilenummer BFU520XRVL
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.732
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFU520XRVL Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU520XRVL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU520XRVL, BFU520XRVL Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 308,62 KB)
PDFBFU520XRVL Datenblatt Cover
BFU520XRVL Datenblatt Seite 2 BFU520XRVL Datenblatt Seite 3 BFU520XRVL Datenblatt Seite 4 BFU520XRVL Datenblatt Seite 5 BFU520XRVL Datenblatt Seite 6 BFU520XRVL Datenblatt Seite 7 BFU520XRVL Datenblatt Seite 8 BFU520XRVL Datenblatt Seite 9 BFU520XRVL Datenblatt Seite 10 BFU520XRVL Datenblatt Seite 11

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BFU520XRVL Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang10.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB @ 1.8GHz
Gewinn17.5dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-143R
LieferantengerätepaketSOT-143R

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

20dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

800 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

7.5dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

40036S

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

C1-28Z

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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