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Seite 120/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BFQ19,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager3.436
BFQ 19S E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz Gewinn: 7dB ~ 11.5dB Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 210mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT89	Auf Lager8.208
BFQ19SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz Gewinn: 7dB Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager2.520
BFQ31ATA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: - Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager6.120
BFQ31ATC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: - Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.716
BFQ540,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT89-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 1.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager2.160
BFQ591,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 2.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager4.050
BFQ67,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager2.790
BFQ67W,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager2.016
BFQ67W,135 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager4.752
BFQ790H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6.1V Frequenz - Übergang: 1.85GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.6dB @ 1.8GHz Gewinn: 17dB Leistung - max: 1.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager65.484
BFR106,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz Gewinn: - Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 9V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager7.182
BFR106E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz Gewinn: 8.5dB ~ 13dB Leistung - max: 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 210mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager209.556
BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 18.5dB Leistung - max: 175mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.190
BFR 181 E6780 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 18.5dB Leistung - max: 175mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.492
BFR 181T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 19.5dB Leistung - max: 175mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager2.592
BFR 181W E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 19dB Leistung - max: 175mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager7.200
BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 19dB Leistung - max: 175mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager337.194
BFR 182 B6663 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 12dB ~ 18dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.150
BFR182E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 12dB ~ 18dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager25.008
BFR 182T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager8.118
BFR 182W E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 19dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager8.676
BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 19dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager27.858
BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 17.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager98.322
BFR 183T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 19.5dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager2.448
BFR 183W E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 18.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager3.672
BFR183WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 18.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager6.174
BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 10dB ~ 15dB Leistung - max: 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager321.858
BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 12.5dB Leistung - max: 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager53.880
BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 12.5dB ~ 19dB Leistung - max: 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-1	Auf Lager2.070

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