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BFP420H6740XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager5.922
BFP420H6801XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager6.984
BFP450E6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 24GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn: 15.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager4.014
BFP450E6433BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 24GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn: 15.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager2.970
BFP450H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 24GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn: 15.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager2.502
BFP450H6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 24GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn: 15.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager5.292
BFP460E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.8V Frequenz - Übergang: 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Gewinn: 12.5dB ~ 26.5dB Leistung - max: 230mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager3.508
BFP460E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.8V Frequenz - Übergang: 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Gewinn: 12.5dB ~ 26.5dB Leistung - max: 230mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager4.860
BFP460H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.8V Frequenz - Übergang: 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Gewinn: 12.5dB ~ 26.5dB Leistung - max: 230mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager28.458
BFP460H6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.8V Frequenz - Übergang: 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Gewinn: 12.5dB ~ 26.5dB Leistung - max: 230mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager4.374
BFP520E6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.5V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager5.400
BFP 520F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.5V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Gewinn: 22.5dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager7.488
BFP520FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.5V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Gewinn: 22.5dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager3.726
BFP520H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.5V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Gewinn: 22.5dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager4.140
BFP540E6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn: 21.5dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager2.484
BFP540ESDE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn: 21.5dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager4.842
BFP540ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn: 21.5dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager25.662
BFP 540F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager5.868
BFP540FESDE6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager3.798
BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager79.032
BFP540H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn: 16dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager7.416
BFP620E7764BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.8V Frequenz - Übergang: 65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 21.5dB Leistung - max: 185mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager8.910
BFP 620F E7764 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.8V Frequenz - Übergang: 65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 185mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager5.292
BFP620FH7764XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.8V Frequenz - Übergang: 65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 21dB ~ 10dB Leistung - max: 185mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager8.352
BFP620H7764XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.8V Frequenz - Übergang: 65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 21.5dB Leistung - max: 185mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager22.074
BFP640E6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 40GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager5.598
BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 46GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn: 7dB ~ 30dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager8.100
BFP640FE6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 40GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 23dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager4.014
BFP 640FESD E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 46GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn: 8B ~ 30.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager2.232
BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 46GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn: 8B ~ 30.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager5.742

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