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BFP420H6740XTSA1

BFP420H6740XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFP420H6740XTSA1
PNEDA Teilenummer BFP420H6740XTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.922
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFP420H6740XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP420H6740XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFP420H6740XTSA1, BFP420H6740XTSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 175,2 KB)
PDFBFP420E6433HTMA1 Datenblatt Cover
BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 2 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 3 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 4 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 5 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 6 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 7 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 8 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 9

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BFP420H6740XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5V
Frequenz - Übergang25GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1.8GHz
Gewinn21dB
Leistung - max160mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 20mA, 4V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketSOT-343

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Gewinn

23dB

Leistung - max

75mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

MPS5179_D27Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MRF393

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual) Common Emitter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

100W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

744A-01

Lieferantengerätepaket

744A-01, Style 1

KSC1674COBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BFP520FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

45GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.95dB @ 1.8GHz

Gewinn

22.5dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

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