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BFP620FH7764XTSA1

BFP620FH7764XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFP620FH7764XTSA1
PNEDA Teilenummer BFP620FH7764XTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.352
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFP620FH7764XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP620FH7764XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFP620FH7764XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2.8V
Frequenz - Übergang65GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gewinn21dB ~ 10dB
Leistung - max185mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce110 @ 50mA, 1.5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket4-TSFP

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

23A008

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

22V

Frequenz - Übergang

3.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB ~ 9.5dB

Leistung - max

5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55BT

Lieferantengerätepaket

55BT

2SC2714-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

550MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.5dB @ 100MHz

Gewinn

23dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

S-Mini

1035MP

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB ~ 10.5dB

Leistung - max

125W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55FW-1

Lieferantengerätepaket

55FW-1

BF959RL1

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

700MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Gewinn

-

Leistung - max

625mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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