BFP540FESDE6327
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| Teilenummer | BFP540FESDE6327 |
| PNEDA Teilenummer | BFP540FESDE6327 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.798 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFP540FESDE6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP540FESDE6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFP540FESDE6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5V |
| Frequenz - Übergang | 30GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz |
| Gewinn | 20dB |
| Leistung - max | 250mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 3.5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 4-TSFP |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3V Frequenz - Übergang 53GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.75dB @ 6GHz Gewinn 15.8dB Leistung - max 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 205 @ 2mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 8V Frequenz - Übergang 1.9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB Leistung - max 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz Gewinn 10dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket 3-MCP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Frequenz - Übergang 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
