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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BFG520,235 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager5.634
BFG520W,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket: 4-SO	Auf Lager6.102
BFG520W/X,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket: 4-SO	Auf Lager4.770
BFG520/X,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager5.238
BFG520/X,235 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager8.658
BFG520/XR,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-143R Lieferantengerätepaket: SOT-143R	Auf Lager2.628
BFG520/XR,235 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-143R Lieferantengerätepaket: SOT-143R	Auf Lager2.286
BFG540,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager7.002
BFG540W,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket: 4-SO	Auf Lager3.870
BFG540W/X,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager5.742
BFG540W/XR,135 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager6.138
BFG540/X,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager3.544
BFG540/XR,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-143R Lieferantengerätepaket: SOT-143R	Auf Lager7.776
BFG541,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 650mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager5.346
BFG590,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager5.958
BFG590/X,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager3.906
BFG591,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager2.574
BFG67,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager6.228
BFG67,235 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager6.480
BFG67/X,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager7.326
BFG92A/X,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager7.596
BFG93A,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager5.148
BFG93A/X,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager5.148
BFG94,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager5.202
BFG97,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager5.508
BFG97,135 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager5.508
BFM505,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 18mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager2.754
BFM520,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager7.884
BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 17.5dB ~ 21dB Leistung - max: 175mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT143-4	Auf Lager4.536
BFP 182 E7764 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 22dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT143-4	Auf Lager5.364

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