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BFG541,115

BFG541,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG541,115
PNEDA Teilenummer BFG541-115
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.346
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG541 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG541,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG541, BFG541 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 298,53 KB)
PDFBFG541 Datenblatt Cover
BFG541 Datenblatt Seite 2 BFG541 Datenblatt Seite 3 BFG541 Datenblatt Seite 4 BFG541 Datenblatt Seite 5 BFG541 Datenblatt Seite 6 BFG541 Datenblatt Seite 7 BFG541 Datenblatt Seite 8 BFG541 Datenblatt Seite 9 BFG541 Datenblatt Seite 10 BFG541 Datenblatt Seite 11

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BFG541 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
Gewinn-
Leistung - max650mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 40mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSOT-223

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Frequenz - Übergang

2.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB ~ 9.5dB

Leistung - max

6W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

750mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

55FT

Lieferantengerätepaket

55FT

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Gewinn

18dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

SD1536-08

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.4dB

Leistung - max

292W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M105

Lieferantengerätepaket

M105

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

17GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

20dB ~ 22dB

Leistung - max

16mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 3mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.6mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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