BFG541,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFG541,115 |
| PNEDA Teilenummer | BFG541-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.346 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFG541 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFG541,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFG541 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 9GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 650mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 40mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket CMPAK-4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 24V Frequenz - Übergang 2.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9dB ~ 9.5dB Leistung - max 6W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 750mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Stud Mount Paket / Fall 55FT Lieferantengerätepaket 55FT |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 38 @ 7mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz Gewinn - Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-SO |
