10A015
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| Teilenummer | 10A015 |
| PNEDA Teilenummer | 10A015 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.842 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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10A015 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 10A015 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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10A015 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 24V |
| Frequenz - Übergang | 2.7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 9dB ~ 9.5dB |
| Leistung - max | 6W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 750mA |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Stud Mount |
| Paket / Fall | 55FT |
| Lieferantengerätepaket | 55FT |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.4dB Leistung - max 292W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M105 Lieferantengerätepaket M105 |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 16-QFN (3x3) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 19dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
