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BFG97,115

BFG97,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG97,115
PNEDA Teilenummer BFG97-115
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.508
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG97 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG97,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG97, BFG97 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 317,96 KB)
PDFBFG97 Datenblatt Cover
BFG97 Datenblatt Seite 2 BFG97 Datenblatt Seite 3 BFG97 Datenblatt Seite 4 BFG97 Datenblatt Seite 5 BFG97 Datenblatt Seite 6 BFG97 Datenblatt Seite 7 BFG97 Datenblatt Seite 8 BFG97 Datenblatt Seite 9 BFG97 Datenblatt Seite 10 BFG97 Datenblatt Seite 11

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BFG97 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 70mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSOT-223

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 900MHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 200mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.15dB @ 1.8GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

60mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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BGB 540 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

16dB ~ 17.5dB

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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