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BFG520/XR,215

BFG520/XR,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFG520/XR,215
PNEDA Teilenummer BFG520-XR-215
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.628
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG520/XR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG520/XR,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG520/XR, BFG520/XR Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 316,33 KB)
PDFBFG520/XR Datenblatt Cover
BFG520/XR Datenblatt Seite 2 BFG520/XR Datenblatt Seite 3 BFG520/XR Datenblatt Seite 4 BFG520/XR Datenblatt Seite 5 BFG520/XR Datenblatt Seite 6 BFG520/XR Datenblatt Seite 7 BFG520/XR Datenblatt Seite 8 BFG520/XR Datenblatt Seite 9 BFG520/XR Datenblatt Seite 10 BFG520/XR Datenblatt Seite 11

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BFG520/XR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 20mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-143R
LieferantengerätepaketSOT-143R

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 70mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-VFQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-QFN (3x3)

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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