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BFG590/X,215

BFG590/X,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFG590/X,215
PNEDA Teilenummer BFG590-X-215
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.906
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFG590/X Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG590/X,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG590/X, BFG590/X Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 263,32 KB)
PDFBFG590 Datenblatt Cover
BFG590 Datenblatt Seite 2 BFG590 Datenblatt Seite 3 BFG590 Datenblatt Seite 4 BFG590 Datenblatt Seite 5 BFG590 Datenblatt Seite 6 BFG590 Datenblatt Seite 7 BFG590 Datenblatt Seite 8 BFG590 Datenblatt Seite 9 BFG590 Datenblatt Seite 10 BFG590 Datenblatt Seite 11

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BFG590/X Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max400mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 70mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

3.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1.3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PCP

HFA3128R

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-VFQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-QFN (3x3)

2SC4228-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Gewinn

7.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

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