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BFP620E7764BTSA1

BFP620E7764BTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFP620E7764BTSA1
PNEDA Teilenummer BFP620E7764BTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4
Hersteller Infineon Technologies
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BFP620E7764BTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP620E7764BTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFP620E7764BTSA1, BFP620E7764BTSA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 635,98 KB)
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BFP620E7764BTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2.8V
Frequenz - Übergang65GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gewinn21.5dB
Leistung - max185mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce110 @ 50mA, 1.5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketPG-SOT343-4

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-

Transistortyp

NPN

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55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

15dB

Leistung - max

150W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

24V

Frequenz - Übergang

2.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB ~ 9.5dB

Leistung - max

6W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

750mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

55FT

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55FT

Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

3.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

80W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-422A

Lieferantengerätepaket

CDFM2

2SC5454-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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