BFP460E6433HTMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFP460E6433HTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFP460E6433HTMA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.860 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 3 - Feb 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFP460E6433HTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP460E6433HTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
BFP460E6433HTMA1, BFP460E6433HTMA1 Datenblatt
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BFP460E6433HTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5.8V |
| Frequenz - Übergang | 22GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz |
| Gewinn | 12.5dB ~ 26.5dB |
| Leistung - max | 230mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 90 @ 20mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT343-4 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn 21.5dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 8.3dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 20dB Leistung - max 1.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.3V Frequenz - Übergang 21GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 2GHz Gewinn 14dB Leistung - max 115mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-523 Lieferantengerätepaket SOT-523 |
