BFR183WH6327XTSA1
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| Teilenummer | BFR183WH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFR183WH6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.174 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 28 - Mai 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFR183WH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR183WH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
BFR183WH6327XTSA1, BFR183WH6327XTSA1 Datenblatt
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BFR183WH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gewinn | 18.5dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 15mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 65mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT323-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 10dB ~ 15dB Leistung - max 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 1.8GHz Gewinn 15.5dB Leistung - max 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-723 Lieferantengerätepaket TSFP-3-1 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 12dB ~ 18dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 9.5dB ~ 14.5dB Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10.8dB ~ 12.3dB Leistung - max 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M220 Lieferantengerätepaket M220 |
