BFR92A,235
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| Teilenummer | BFR92A,235 |
| PNEDA Teilenummer | BFR92A-235 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.968 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFR92A Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR92A,235 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFR92A Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 65 @ 15mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 25mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 10dB ~ 15dB Leistung - max 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn - Leistung - max 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 45 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 24dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9.5V Frequenz - Übergang 900MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB ~ 9.5dB Leistung - max 2.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
