IRLML6401TRPBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRLML6401TRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRLML6401TRPBF |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.835.610 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 7 - Mär 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IRLML6401TRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRLML6401TRPBF Datasheet
- where to find IRLML6401TRPBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRLML6401TRPBF
- IRLML6401TRPBF PDF Datasheet
- IRLML6401TRPBF Stock
- IRLML6401TRPBF Pinout
- Datasheet IRLML6401TRPBF
- IRLML6401TRPBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRLML6401TRPBF Price
- IRLML6401TRPBF Distributor
IRLML6401TRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Micro3™/SOT-23 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 55W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 594.3pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 800mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 89mOhm @ 1.32A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 236mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-89-6 Paket / Fall SOT-563, SOT-666 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 53A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1696pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-262 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
