EPC2034C
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| Teilenummer | EPC2034C |
| PNEDA Teilenummer | EPC2034C |
| Beschreibung | TRANS GAN 200V 8MOHM DIE |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 27.228 |
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EPC2034C Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2034C |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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EPC2034C Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 48A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
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Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller STMicroelectronics Serie SuperMESH™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 450W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket MAX247™ Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 70mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.4pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SMCP Paket / Fall SC-75, SOT-416 |
