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BFS17NQTA

BFS17NQTA

Nur als Referenz

Teilenummer BFS17NQTA
PNEDA Teilenummer BFS17NQTA
Beschreibung RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 7.560
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BFS17NQTA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFS17NQTA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFS17NQTA, BFS17NQTA Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 145,42 KB)
PDFBFS17NQTA Datenblatt Cover
BFS17NQTA Datenblatt Seite 2 BFS17NQTA Datenblatt Seite 3 BFS17NQTA Datenblatt Seite 4 BFS17NQTA Datenblatt Seite 5 BFS17NQTA Datenblatt Seite 6 BFS17NQTA Datenblatt Seite 7

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BFS17NQTA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)11V
Frequenz - Übergang3.2GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max310mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce56 @ 5mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

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-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

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Hersteller

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M111

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Gewinn

12.5dB ~ 14dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

BFU550XAR

NXP

Hersteller

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.75db @ 900MHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Gull Wing

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

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MS2200A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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