BFS17NQTA Datenblatt
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 11V Frequenz - Übergang 3.2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 310mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 11V Frequenz - Übergang 3.2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
