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BFS17W,115

BFS17W,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFS17W,115
PNEDA Teilenummer BFS17W-115
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ SOT323-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.046
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFS17W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFS17W,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFS17W, BFS17W Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 170,86 KB)
PDFBFS17W Datenblatt Cover
BFS17W Datenblatt Seite 2 BFS17W Datenblatt Seite 3 BFS17W Datenblatt Seite 4 BFS17W Datenblatt Seite 5 BFS17W Datenblatt Seite 6 BFS17W Datenblatt Seite 7 BFS17W Datenblatt Seite 8

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BFS17W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang1.6GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)4.5dB @ 500MHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 2mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323-3

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Gewinn

8dB ~ 17dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Transistortyp

NPN

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Gewinn

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6.1V

Frequenz - Übergang

1.85GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.6dB @ 1.8GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

1.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

-

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