BFT25,215
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Teilenummer | BFT25,215 |
PNEDA Teilenummer | BFT25-215 |
Beschreibung | RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB |
Hersteller | NXP |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 28.578 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFT25 Ressourcen
Marke | NXP |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BFT25,215 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
Datenblatt |
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BFT25 Technische Daten
Hersteller | NXP USA Inc. |
Serie | - |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5V |
Frequenz - Übergang | 2.3GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 5.5dB @ 500MHz |
Gewinn | - |
Leistung - max | 30mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 1mA, 1V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6.5mA |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
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NXP Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 70mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89-3 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB ~ 9dB Leistung - max 7W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55FW-1 Lieferantengerätepaket 55FW-1 |
CEL Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz Gewinn 15dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 17.5dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Broadcom Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 110mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket - |