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BFT25 Datenblatt

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NXP
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BFT25,215

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

2.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5.5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

30mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.5mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)