BFS 386L6 E6327
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| Teilenummer | BFS 386L6 E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BFS-386L6-E6327 |
| Beschreibung | RF TRANS 2 NPN 6V 14GHZ TSLP-6-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.974 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFS 386L6 E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFS 386L6 E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
BFS 386L6 E6327, BFS 386L6 E6327 Datenblatt
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BFS 386L6 E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 6V |
| Frequenz - Übergang | 14GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz |
| Gewinn | 10dB ~ 14.5dB |
| Leistung - max | 210mW, 380mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35mA, 80mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFDFN |
| Lieferantengerätepaket | TSLP-6-1 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.03GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB ~ 9dB Leistung - max 1944W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Betriebstemperatur 230°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55SM Lieferantengerätepaket 55SM |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 12.5dB ~ 19dB Leistung - max 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3-1 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz Gewinn 13dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn 21dB Leistung - max 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
