BFR540,235
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFR540,235 |
| PNEDA Teilenummer | BFR540-235 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.992 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFR540 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR540,235 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFR540 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 9GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 500mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 40mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 60MHz Gewinn 15dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 200MHz Gewinn 24dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 836MHz Gewinn 11.6dB Leistung - max 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.2A Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-SOIC-EP |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
