BFR 193W E6327
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| Teilenummer | BFR 193W E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BFR-193W-E6327 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.892 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFR 193W E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR 193W E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFR 193W E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gewinn | 10.5dB ~ 16dB |
| Leistung - max | 580mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT323-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn 11.5dB ~ 16dB Leistung - max 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3-1 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 39GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Gewinn 25dB Leistung - max 40mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz Gewinn 20dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket PG-SC-75 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 1GHz Gewinn 13dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket 4-MCP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 54 @ 1mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
