BFR740L3RHE6327XTSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFR740L3RHE6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFR740L3RHE6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 144.582 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 15 - Jan 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFR740L3RHE6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR740L3RHE6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFR740L3RHE6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.7V |
| Frequenz - Übergang | 42GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz |
| Gewinn | 24.5dB |
| Leistung - max | 160mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 25mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSLP-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 97 @ 1mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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