BFR35APE6327HTSA1
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| Teilenummer | BFR35APE6327HTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFR35APE6327HTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.374 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFR35APE6327HTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR35APE6327HTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFR35APE6327HTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gewinn | 10.5dB ~ 16dB |
| Leistung - max | 280mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 15mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 45mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 12dB Leistung - max 8W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 640mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn - Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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