BFR380FH6327XTSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFR380FH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFR380FH6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFR380FH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR380FH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFR380FH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 9V |
| Frequenz - Übergang | 14GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz |
| Gewinn | 9.5dB ~ 13.5dB |
| Leistung - max | 380mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 90 @ 40mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-723 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSFP-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 13.5dB ~ 20.5dB Leistung - max 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9.11dB ~ 9.69dB Leistung - max 170W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 27A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 20GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 12dB Leistung - max 735mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 100mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket - |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz Gewinn 9dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
