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BFP740FH6327XTSA1

BFP740FH6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFP740FH6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BFP740FH6327XTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 26.076
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BFP740FH6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP740FH6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFP740FH6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.7V
Frequenz - Übergang42GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gewinn27.5dB
Leistung - max160mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce160 @ 25mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket4-TSFP

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

470MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 300mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB @ 900MHz

Gewinn

9.7dB

Leistung - max

700mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

205mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

SD1224

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.6dB

Leistung - max

60W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

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