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BFP650

BFP650

Nur als Referenz

Teilenummer BFP650
PNEDA Teilenummer BFP650
Beschreibung RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.394
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFP650 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP650
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFP650 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.5V
Frequenz - Übergang37GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gewinn10.5dB ~ 21.5dB
Leistung - max500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce110 @ 80mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketPG-SOT343-4

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

55GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz

Gewinn

-

Leistung - max

197mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

205 @ 2mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

23A008

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

22V

Frequenz - Übergang

3.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB ~ 9.5dB

Leistung - max

5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55BT

Lieferantengerätepaket

55BT

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

Gewinn

7dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

BF959RL1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

700MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Gewinn

-

Leistung - max

625mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MRF581

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

Gewinn

13dB ~ 15.5dB

Leistung - max

1.25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Micro-X ceramic (84C)

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