BFP720FH6327XTSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFP720FH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFP720FH6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.518 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFP720FH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP720FH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFP720FH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.7V |
| Frequenz - Übergang | 45GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| Gewinn | 10.5dB ~ 28dB |
| Leistung - max | 100mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 13mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 25mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 4-TSFP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 20dB Leistung - max 175mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket P-SOT363-6 |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz Gewinn 12.5dB ~ 14dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 2mA, 2.7V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 75V Frequenz - Übergang 3.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9dB Leistung - max 80W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1.5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-422A Lieferantengerätepaket CDFM2 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.7dB @ 800MHz Gewinn 13dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SMini3-G1 |
