BFP640H6327XTSA1
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| Teilenummer | BFP640H6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFP640H6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 374.970 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFP640H6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP640H6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFP640H6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.5V |
| Frequenz - Übergang | 40GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Gewinn | 12.5dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT343-4 |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 14.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz Gewinn 12dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 20mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
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