BFP 420F E6327
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| Teilenummer | BFP 420F E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BFP-420F-E6327 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5V 25GHZ 4TSFP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.470 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 18 - Feb 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFP 420F E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP 420F E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFP 420F E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5V |
| Frequenz - Übergang | 25GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1.8GHz |
| Gewinn | 19.5dB |
| Leistung - max | 160mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 4V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 4-TSFP |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 4.5dB @ 450MHz Gewinn 21dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn 20dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
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Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz Gewinn 11dB ~ 13dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 2.7V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn - Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
